Λεπτομέρειες:
|
High UV sensitivity: | QE 75% (λ=200 nm) | Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm |
---|---|---|---|
Reverse voltage (Max.): | 5V | Rise time (typical value): | 1 μs |
Επισημαίνω: | Υπεριώδη Φωτοδιόδια Σιλικόνης,Φωτοδιόδη πυριτίου ακριβείας |
Περιγραφή του προϊόντος:
S1337-66BQ Το φωτοδιόδιο πυριτίου είναι κατάλληλο για φωτομετρία ακρίβειας σε υπεριώδεις έως υπέρυθρες ζώνες
Χαρακτηριστικά:
Διορθωτικό για ακριβή φωτομετρία σε υπεριώδεις έως υπέρυθρες ζώνες
ιδιαιτερότητα
- Υψηλή ευαισθησία στα UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Χαμηλή χωρητικότητα
Επιφάνεια λήψης 5,8 × 5,8 mm
Κηραμικά σε κάψουλες
Κατηγορία συσκευασίας --
Μη ψυγείο
Αντίστροφη τάση (μέγιστη) 5 V
Περιοχή φασματικής απόκρισης 190 έως 1100 nm
Μέγιστο μήκος κύματος ευαισθησίας (τυπική τιμή) 960 nm
Φωτοευαισθησία (τυπική τιμή) 0,5A/W
Σκοτεινό ρεύμα (μέγιστο) 100 pA
Χρόνος άνοδος (τυπική τιμή) 1 μs
Η χωρητικότητα διασταύρωσης (τυπική) 380 pF
Η ισχύς ισοδύναμου θορύβου (τυπική τιμή) 1,3 × 10-14 W/Hz1/2
Τυπικές τιμές των συνθηκών μέτρησης Ta=25°C, φωτοευαισθησία: λ = 960 nm, σκοτεινό ρεύμα: VR = 10 mV, χωρητικότητα διασταύρωσης: VR = 0 V, f = 10 kHz, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά
Προδιαγραφές:
Περιοχή φασματικής απόκρισης | 190 έως 1100 nm |
Μέγιστο μήκος κύματος ευαισθησίας (τυπική τιμή) | 960 nm |
Φωτοευαισθησία (τυπική τιμή) | 0.5A /W |
Σκοτεινό ρεύμα (μέγιστο) | 100 pA |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Miss. Xu
Τηλ.:: 86+13352990255